Top.Mail.Ru

Микроэлектроника 2026: доклады исследователей из ЛЭТИ признаны одними из лучших на Школе молодых ученых в Сочи

Микроэлектроника 2026: доклады исследователей из ЛЭТИ признаны одними из лучших на Школе молодых ученых в Сочи

Двое лэтишников стали лауреатами конкурса докладов на VIII Школе молодых ученых, проходившей в рамках российского форума «Микроэлектроника» в Сочи.

30.09.2026


С 21 по 29 сентября в Университете «Сириус» прошла VIII Школа молодых ученых в рамках форума «Микроэлектроника». Программа мероприятия включала 13 секций – от моделирования технологических процессов и литографии до квантовых технологий, нейроморфных вычислений и искусственного интеллекта. Отдельная секция также была посвящена молодежным лабораториям. В работе Школы приняла участие делегация СПбГЭТУ «ЛЭТИ» в составе шести ученых, которые представили ряд докладов, охватывающих широкий спектр задач современной микроэлектроники.

В частности, в секции, посвященной СВЧ и силовым приборам, ассистент кафедры микрорадиоэлектроники и технологии радиоаппаратуры (МИТ), заместитель декана по приему и учебе в магистратуре факультета радиотехники и телекоммуникаций (ФРТ) Ирина Александровна Вдовичева рассказала о перестраиваемом балансном усилителе мощности с модуляцией нагрузки, разработанном для стандартов связи 4G LTE и 5G. Ее работа была отмечена дипломом за лучший доклад. 

«Школа молодых ученых представляет собой стартовую площадку и, безусловно, крупнейшую конференцию для начинающих исследователей в сфере микроэлектроники. Участие в ней предоставляет возможность рассказать о своем исследовании широкому кругу лиц, расширить профессиональные контакты с ведущими научными группами России и найти партнеров. Кроме того, данное мероприятие помогает молодым специалистам сориентироваться в актуальных векторах развития научного сообщества, определить приоритетные направления исследований и понять реальные потребности промышленности».

Ассистент кафедры МИТ, заместитель декана по приему и учебе в магистратуре ФРТ Ирина Александровна Вдовичева

Радиочастотную тематику продолжило выступление младшего научного сотрудника кафедры МИТ Игоря Владимировича Григорьева в секции «Радиотехника и инфокоммуникационные технологии». В ней он представил результаты работы по компенсации нелинейных искажений в одноразрядной управляемой проходной фазированной антенной решетке C-диапазона. Работа была признана одной из лучших в секции.

Также на ШМУ были затронуты направления, связанные с разработкой новых материалов и моделированием структур. В секции «Материалы микроэлектроники» доцент кафедры микро- и наноэлектроники (МНЭ), заместитель декана факультета электроники (ФЭЛ) по учебной работе СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Екатерина Николаевна Муратова доложила о формировании и применении композиционных метаструктур на основе пористого анодного оксида алюминия (ПАОА).

«В своем докладе я рассказала о технологии управляемого формирования нанокапиллярных мембран на основе ПАОА. Мы работаем с диаметром пор от 20 до 220 нм и достигаем рекордного аспектного отношения до 500 – это позволяет создавать композиционные метаструктуры с заданной геометрией для микро- и нанотехники. Отдельное внимание уделила разработанному методу экспресс-диагностики: по оптическим спектрам пропускания за один анализ мы получаем информацию о размере пор, толщине и чистоте мембраны. Также продемонстрировала три прорывных направления применения: ростовые платформы для лабораторий на чипе, спектрально-селективное экранирование ИК-излучения (8–14 мкм) и каналирование высокоэнергетических ионов с коэффициентом прохождения свыше 60%. Эти результаты открывают путь к интеграции ПАОА-мембран в миниатюрные устройства с воспроизводимыми свойствами – от биомедицинских чипов до элементов управления ионными пучками».

Доцент кафедры МНЭ, заместитель декана ФЭЛ по учебной работе СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Екатерина Николаевна Муратова


Вопросы численного моделирования затронул студент ФЭЛ Сергей Козлов, представивший в соответствующей секции результаты оптимизации перовскитного солнечного элемента с инвертированной архитектурой с использованием TCAD-подходов.

Отдельной площадкой для презентации достижений стала сессия «Молодежные лаборатории в области микроэлектроники». С обзорным докладом о достигнутых результатах Лаборатории МНЭ выступил ее начальник Александр Сергеевич Дашков, а руководитель молодежной лаборатории технологии материалов и элементов интегральной радиофотоники Виталий Валерьевич Витько представил исследование, посвященное технологии компонентов и методам контроля характеристик фотонных интегральных схем на основе многослойных нитрид-кремниевых структур.

Исследования молодых ученых ЛЭТИ проводятся в русле научно-исследовательской политики программы развития СПбГЭТУ «ЛЭТИ» «Приоритет-2030», национального проекта «Молодежь и дети» и инициативы Десятилетия науки и технологий.