Ученые из СПбГЭТУ «ЛЭТИ» представили доклады об исследованиях нейронных сетей, передовой инженерной школе, а также о научной инфраструктуре вуза в сфере лазерных технологии.
10.10.2025
С 21 по 27 сентября в Сочи в Парке науки и искусства «Сириус» проходил российский форум «Микроэлектроника 2025». Цель мероприятия – комплексно рассмотреть актуальные вопросы разработки, производства и применения отечественной электронной компонентной базы и высокоинтегрированных электронных модулей, а также содействовать развитию отечественной микроэлектроники, представить разработки и возможности современных технологий.
В рамках форума проходил круглый стол «Передовые инженерные школы для электронной промышленности», где выступил проректор-директор ПИШ Виктор Борисович Бессонов. Он рассказал об образовательной программе Передовой инженерной школы «Силовая микроэлектроника» СПбГЭТУ «ЛЭТИ» (ПИШ ЛЭТИ), обсудил партнёрства, а также поделился информацией о проектной и междисциплинарной подготовке студентов. Виктор Борисович объяснил, как обучающиеся разрабатывают реальные продукты и компонентную базу для микроэлектронной промышленности России в процессе обучения.
«Мероприятие направлено на информирование широкого круга предприятий отрасли о реализуемых программах развития ПИШ, образовательных программах, подходах к подготовке кадров, формируемом научно-техническом заделе и возможностях кооперации в интересах электронной промышленности».
Кроме того, на секции, посвященной нейроморфным вычислениям (подход к организации вычислительных архитектур, ориентированный на воспроизведение закономерностей обработки информации мозгом) и искусственному интеллекту, ученые ЛЭТИ представили сразу два доклада.
Начальник научно-исследовательской «Нейроморфная электроника и вычисления в памяти» (НИЛ «НМЭВП»), профессор кафедры микро- и наноэлектроники (МНЭ) СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Наталья Владимировна Андреева представила результаты исследований по оптимизации рабочих параметров изготовленных в лаборатории многоуровневых мемристивных устройств на этапе их КМОП-интеграции и прототипирования интегральных схем. Исследования направлены на раскрытие потенциала данного вида энергонезависимой памяти, который, согласно оценкам, может обеспечить 11-битную емкость ячейки с пикосекундным временем записи и количеством циклов перезаписи, достигающим 1012.
Профессор кафедры МНЭ СПбГЭТУ «ЛЭТИ», ведущий научный сотрудник НИЛ «НМЭВП» Евгений Адальбертович Рындин доложил о разработанном в лаборатории методе построения логических блоков для реализации вычислений в памяти на основе комбинации КМОП-элементов и элементов энергонезависимой резистивной памяти (ReRAM) – мемристивных структур. Разработанные КМОП-ReRAM-элементы позволяют выполнять конвейерную обработку данных без традиционных КМОП-триггеров и тактового сигнала, обеспечивая повышение производительности при значительном снижении энергопотребления и площади, занимаемой на чипе, с сохранением всех текущих логических состояний как в процессе вычислений, так и после отключения напряжения питания.
На секции «Высокопроизводительные вычислительные системы» со своим докладом, посвященным аппаратным средствам реализации нейронных сетей выступил доцент кафедры вычислительной техники (ВТ) СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Сергей Эльмарович Миронов. Также на форуме он представил стендовый доклад «Комплексная параметризация топологии иерархических микроэлектронных объектов».
«Мои доклады были посвящены работам, которыми занимается кафедра на протяжении уже многих лет, они связаны с высокопроизводительными вычислениями и средствами их проектирования. Учет особенностей работы базовых компонентов нейронных сетей позволил разработать вариант реализации, в которой кратно повышается быстродействие и снижаются аппаратные затраты. Стендовый доклад был посвящен вопросам автоматизации проектирования топологий интегральных схем. Ускорение, упрощение и удешевление процесса проектирования обеспечивается параметризацией топологий на всех уровнях проектирования: структурном схемном, электрическом, топологическом и технологическом».
В рамках форума проходил круглый стол «Лазерные технологии для решения актуальных задач производства микроэлектроники», где выступил декан факультета электроники, заведующий кафедрой Фотоники, СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Сергей Анатольевич Тарасов. Он рассказал о лабораториях ЛЭТИ, которые занимаются применением лазерных технологий в электронике, а также ведут разработки в сфере возобновляемой энергетики.
Кроме того, молодые исследователи университета выступали с докладами на Школе молодых ученых, которая шла параллельно с форумом.
Организаторами форума выступили АО «НИИ молекулярной электроники» и АО «НИИ микроэлектронной аппаратуры «Прогресс»» при поддержке Министерства промышленности и торговли Российской Федерации, Министерства науки и высшего образования Российской Федерации и Группы компаний «Элемент».
Работы ученых ведутся в русле научно-исследовательской политики программы развития СПбГЭТУ «ЛЭТИ» «Приоритет 2030».
